[发明专利]压力传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201410111379.3 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103940535A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨天伦;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种压力传感器的制造方法，其包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路；在所述半导体基板上底部电极板的对应位置形成牺牲层；在所述牺牲层及所述半导体基板上形成压力感应层；去除所述牺牲层，所述压力感应层和半导体基底围成一个空腔；在所述压力感应层上形成压力传导层，其位于空腔的上方；其中，所述压力感应层的形成步骤包括：在牺牲层上形成锗硅层；对锗硅层进行激光脉冲照射使其呈熔融态。相比于现有技术：压力感应层该方法可以减小其中的应力，从而应力大大降低，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括步骤： 提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路； 在所述半导体基板上底部电极板的对应位置形成牺牲层； 在所述牺牲层及所述半导体基板上形成压力感应层； 去除所述牺牲层，所述压力感应层和半导体基底围成一个空腔； 在所述压力感应层上形成压力传导层，其位于空腔的上方； 其中，所述压力感应层的形成步骤包括： 在牺牲层上形成锗硅层； 对锗硅层进行激光脉冲照射使其呈熔融态。
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