[发明专利]石墨烯的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201410108434.3 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103922321A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 孙拓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，先在衬底基板上依次形成无定型碳薄膜和催化剂金属薄膜，然后采用准分子激光照射的方式，使催化剂金属薄膜与无定型碳薄膜在准分子激光的高温下形成共熔体，当照射结束时催化剂金属薄膜表面温度急剧下降，使无定型碳薄膜中大部分碳原子锁在催化剂金属薄膜中，只有少量碳原子在催化剂金属薄膜下表面析出，从而形成石墨烯薄膜。由于上述方法采用准分子激光照射的方法生长石墨烯薄膜，而准分子激光对位于石墨烯薄膜之下的其他膜层的影响较小，因此不需要通过转移工艺就可以在衬底基板上形成石墨烯，避免了因转移工艺所带来的对石墨烯薄膜的损坏和污染，保证了石墨烯薄膜的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成无定型碳薄膜；在所述无定型碳薄膜上形成催化剂金属薄膜；采用准分子激光照射形成有所述无定型碳薄膜和所述催化剂金属薄膜的衬底基板，在催化剂金属薄膜的催化作用下，所述无定型碳薄膜转换为石墨烯薄膜。
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