[发明专利]一种接触孔刻蚀阻挡层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410106580.2 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103904055A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种接触孔刻蚀阻挡层结构及其制备方法，涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种接触孔刻蚀阻挡层结构及其制备方法，包括：一包含有源区的衬底，在衬底上设有栅极结构，所述有源区位于所述栅极结构的两侧，所述有源区和所述栅极结构上均设置有金属硅化物，所述金属硅化物的表面和所述栅极结构的侧表面均覆盖有一接触孔刻蚀阻挡层；其中，所述接触孔刻蚀阻挡层由下至上依次包括一第一氮化物应力薄膜和一第二氮化物应力薄膜，所述第一氮化物薄膜中的应力小于所述第二氮化物薄膜中的应力。本发明的一种接触孔刻蚀阻挡层结构及其制备方法在提高器件性能的同时，可以改善器件的负偏压温度不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 刻蚀 阻挡 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔刻蚀阻挡层结构，其特征在于，包括：一包含有源区的衬底，在衬底上设有栅极结构，所述有源区位于所述栅极结构的两侧，所述有源区和所述栅极结构上均设置有金属硅化物，所述金属硅化物的表面和所述栅极结构的侧表面均覆盖有一接触孔刻蚀阻挡层；其中，所述接触孔刻蚀阻挡层由下至上依次包括一第一氮化物应力薄膜和一第二氮化物应力薄膜，所述第一氮化物应力薄膜中的应力小于所述第二氮化物应力薄膜中的应力。
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