[发明专利]一种改善厚栅氧化物形貌的方法无效
| 申请号： | 201410106566.2 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887229A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沈萍;黄奕仙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种通过增大浅沟槽隔离凹陷区宽度和深度的方法改善厚栅氧化物形貌的方法。在栅氧化物生长前，适当增加湿法清洗工艺（WET）次数以增加浅沟槽隔离凹陷区（STI divot）的宽度和深度，使得氧化过程中气体与有源区的侧墙与气体有充分的接触，有助于形成高质量和形貌良好的栅氧化物。通过本发明的方法能够在集成电路的制造过程中，使得氧化过程中气体与有源区的侧墙得到充分接触，防止有源区尖角的形成。本方法因其对工艺过程的改动较少，容易实现对器件性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化物 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改善厚栅氧化物形貌的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括有源区、覆盖于所述有源区表面的衬垫氧化层和隔离所述有源区的浅沟槽；在所述浅沟槽中填入绝缘材料，并进行化学机械抛光，以形成顶部具有凹陷区的浅沟槽隔离结构；采用湿法刻蚀去除所述衬垫氧化层，并使所述凹陷区的宽度和深度增加，以暴露出部分的有源区的侧壁；继续制备厚栅氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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