[发明专利]发光装置

摘要

本发明的实施例提供了一种发光装置。所示发光装置包括：衬底；绝缘层，具有网格结构，形成衬底上，多个发光二极管LED，其中每个发光二极管形成在网格结构的一个中空部分中，并且包含：N型GaN层，形成在中空部分中的衬底上，发光层，形成在N型GaN层上，P型GaN层，形成在发光层上；N电极，形成在N型GaN层上；P电极，形成在P型GaN层上；以及多个薄膜晶体管TFT，其中每个TFT形成在其中形成了与该TFT对应的LED的网格的侧壁上，并且该TFT的漏极与P电极相连接以控制发光二极管，TFT的栅极配置来接收扫描信号，以及TFT的源极配置来接收数据信号。

主权项

1.一种发光装置包括：衬底；绝缘层，具有网格结构，形成所述衬底上，多个发光二极管(LED)，其中每个所述发光二极管形成在所述网格结构的一个中空部分中，并且包含：N型GaN层，形成在所述中空部分中的所述衬底上，发光层，形成在所述N型GaN层上，P型GaN层，形成在所述发光层上；N电极，形成在所述N型GaN层上；P电极，形成在所述P型GaN层上；以及多个薄膜晶体管(TFT)，与所述多个LED一一对应，其中每个所述TFT形成在其中形成了与该TFT对应的LED的网格的侧壁上，并且该TFT的漏极与所述P电极相连接以控制所述发光二极管，所述TFT的栅极配置来接收扫描信号，以及所述TFT的源极配置来接收数据信号；其中，每个所述TFT形成的侧壁与该TFT所示对应的LED的P电极之间的距离小于与该TFT所对应的LED的N电极之间的距离。