[发明专利]光刻机曝光参数的获取方法

摘要

本发明提供了一种光刻机曝光参数的获取方法，包括解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。通过本发明的技术方案，可以根据用户对于各类复杂光刻版（或名掩膜版）的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。

主权项

一种光刻机曝光参数的获取方法，其特征在于，包括：解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数；所述光刻机曝光参数包括：光刻版在硅片上的曝光区域的在水平方向上的第一排列个数和在竖直方向上的第二排列个数；所述第一排列个数所述第二排列个数其中，Φ为所述硅片的直径长度，Px为所述第一期望步进长度，Py为所述第二期望步进长度；解析所述参数输入指令，获取所述光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；根据所述第一期望步进长度、所述第二期望步进长度和所述实际高度，计算所述光刻机曝光参数；所述光刻版上的待曝光图形所述光刻机曝光参数包括：所述硅片上沿竖直方向的偏差补偿值f=t12,t1>0;0,t1=0,]]>c=Φ2-l22-h,]]>其中，c和f为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数，t1为所述光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；t1为以无插花的形式仅曝光所述待曝光图形中的主体图形或同时曝光所述待曝光图形中的主体图形和测试图形时，或以插花形式曝光所述主体图形的全部或部分和所述测试图形时，所述待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；计算所述光刻机曝光参数的过程包括：建立以所述光刻版的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第一直角坐标系；建立以硅片的中心点为原点、所述水平方向为第一轴、所述竖直方向为第二轴的第二直角坐标系；根据所述光刻版中的任一完整图形中的每个待曝光区域在所述第一直角坐标系和所述第二直角坐标系中的位置信息，确定所述光刻机曝光参数。