[发明专利]一种降低铝焊板突起的方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种降低铝焊板突起的方法。包括以下步骤提供半导体衬底；采用低频射频在所述半导体衬底表面沉积第一层金属铝薄膜；移出所述半导体衬底，在室温下冷却10～30分钟；采用高频射频在所述步骤三冷却后的第一层金属铝薄膜上继续沉积第二层金属铝薄膜，直到所述金属铝薄膜满足厚度要求；对所述金属铝薄膜进行光刻工艺和蚀刻工艺形成金属铝焊板。本发明采用铝的特殊淀积方法来制作铝焊板，先利用低频射频淀积一定厚度的铝，然后移出淀积腔体室温冷却，再利用相对高频射频淀积所需剩余的铝，通过体室温冷却的步骤可以释放铝焊板的应力，从而有效抑制铝焊板的突起，增加了晶圆与外界电路连接的可靠性。

主权项

一种降低铝焊板突起的方法，包括以下步骤：步骤一，提供半导体衬底；步骤二，采用低频射频在所述半导体衬底表面沉积第一层金属铝薄膜；步骤三，从沉积腔中移出所述半导体衬底，在室温下冷却10～30分钟，直到所述第一层金属铝薄膜的应力释放完毕；步骤四，采用高频射频在所述步骤三冷却后的第一层金属铝薄膜上继续沉积第二层金属铝薄膜，直到所述第一层金属铝薄膜和第二层金属铝薄膜的厚度总和满足厚度要求，所述第二层金属铝薄膜的厚度大于第一层金属铝薄膜的厚度；步骤五，对所述第一层金属铝薄膜和第二层金属铝薄膜进行光刻和蚀刻形成金属铝焊板；所述步骤二中，第一层金属铝薄膜的沉积温度为250～300℃，射频功率为200～1000W，所述第一层金属铝薄膜厚度为所述步骤四中，第二层金属铝薄膜的沉积温度为250～350℃，射频功率为1000～2000W，所述第二层金属铝薄膜厚度为