[发明专利]一种N型背发射极太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 201410102407.5 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103855230A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张为国;龙维绪;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型背发射极太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)对N型硅片进行制绒、扩散、背面抛光；(2)在硅片背面的抛光面上丝网印刷P型掺杂浆料，烧结，得到背发射极；(3)采用腐蚀液处理上述背发射极；(4)刻蚀、正面PECVD；(5)印刷背场、前表面印刷正电极、烧结。本发明先对硅片背面进行抛光，然后对背发射极进行腐蚀处理，改善背发射极的质量，同时制备相对均匀背发射极，从而减少背结区的载流子复合；实验证明：本发明的方法可以明显改善开路电压和短路电流，电池效率可以提升0.3%左右，取得了意想不到的技术效果，具有创造性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射极 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 对N型硅片进行制绒、扩散、背面抛光；(2) 在硅片背面的抛光面上丝网印刷P型掺杂浆料，烧结，得到背发射极；(3) 采用腐蚀液处理上述背发射极；腐蚀的温度为25～50℃，时间为5～30min；处理后的结深为0.5~7微米，其方块电阻为50~80Ω/□；(4) 刻蚀、正面PECVD；(5) 印刷背场、前表面印刷正电极、烧结；即可得到所述N型背发射极太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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