[发明专利]磁存储器及其提供方法和编程方法

摘要

本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的，并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。

主权项

一种磁存储器，包括：多个双磁性结，所述多个双磁性结的每个包括第一参考层、第一非磁性间隔层、自由层、第二非磁性间隔层和第二参考层，所述自由层是磁性的，并且位于所述第一非磁性间隔层和所述第二非磁性间隔层之间，所述第一非磁性间隔层在所述第一参考层和所述自由层之间，所述第二非磁性间隔层在所述第二参考层和所述自由层之间；以及至少一个自旋轨道相互作用(SO)有源层，邻近于所述多个双磁性结的每个的所述第一参考层，所述至少一个自旋轨道相互作用有源层被配置为由于电流被在平面内驱动从而与所述至少一个自旋轨道相互作用有源层和所述第一参考层之间的方向垂直地穿过所述至少一个自旋轨道相互作用有源层而在所述第一参考层上施加自旋轨道相互作用扭矩并且被配置为在没有所述电流时不在所述第一参考层上施加自旋轨道相互作用扭矩，所述自由层被配置为利用被驱动经过所述双磁性结的自旋转移写入电流而转换，所述第一参考层具有被配置为通过至少所述自旋轨道相互作用扭矩改变的磁矩。