[发明专利]集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器有效
申请号: | 201410095871.6 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN103943715B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 王玉冰;尹伟红;韩勤;杨晓红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/0232 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器,该光电探测器制作在SOI衬底上,包括:一光波导,形成在衬底纵向的上面;一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上,并覆盖光波导;一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上,并覆盖条状的该光波导的中间部分;一第一金属电极,其具有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上;一第二金属电极,其具有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上;一栅电极窗口,其形成于绝缘透明薄膜上,位于暴露的绝缘透明薄膜的任意表面。本发明将石墨烯光电探测器与波导、谐振腔等集成,克服了光响应度低的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 集成 分布 布拉格 反射光栅 增强 石墨 波导 探测器 | ||
【主权项】:
一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器,该探测器制作在SOI衬底上,包括:一光波导,该光波导为条状,形成在衬底纵向的上面,该光波导包括一输入耦合光栅、一第一DBR光栅、一第二DBR光栅和输出耦合光栅,该输入耦合光栅和第一DBR光栅位于石墨烯薄膜的一侧,该第二DBR光栅和输出耦合光栅位于石墨烯薄膜的另一侧,该输入耦合光栅和输出耦合光栅的结构满足布拉格条件;一绝缘透明薄膜,该绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上,并覆盖光波导;一石墨烯薄膜,其制作在绝缘透明薄膜上,并覆盖条状的该光波导的中间部分;一第一金属电极,该第一金属电极有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上,而位于条状的光波导的一侧;一第二金属电极,该第二金属电极有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上,而位于条状的光波导的另一侧;一栅电极窗口,其形成于绝缘透明薄膜上,位于暴露的绝缘透明薄膜的任意表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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