[发明专利]一种连续生产碳纳米管电磁屏蔽膜的方法无效

专利信息
申请号: 201410095788.9 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103864053A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 郭利;刘斌;吴子平 申请(专利权)人: 安徽庆恒纳米科技有限公司
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;H05K9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种电磁屏蔽膜的生产方法,具体涉及一种连续生产碳纳米管电磁屏蔽膜的生产方法。包括以下步骤:(1)在石英管反应器中加入基片作为成型膜的载体,将石英管反应器分为预反应段、反应段、成型段,向反应器中通入惰性气体,保持石英管的反应段温度在1100-1200℃;(2)将二茂铁和噻吩溶解在正己烷中;(3)将溶解有二茂铁和噻吩的正己烷通入反应管中,继续通入惰性气体,牵引反应器中的基片向前运动反应物在基片上进行反应,可以连续成膜,基片运动至成型区冷却后,将成型的膜从基片上分离,石英管反应器的反应段中可以继续反应,实现碳纳米管电磁屏蔽膜的连续生产。提高了成膜的均匀性,也提高了生产的效率。
搜索关键词: 一种 连续生产 纳米 电磁 屏蔽 方法
【主权项】:
一种连续生产碳纳米管电磁屏蔽膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、在石英管反应器中加入基片作为成型膜的载体,将石英管反应器分为预反应段、反应段、成型段,向反应器中通入惰性气体,惰性气体流量为25‑50L/h,保持石英管的反应段温度在1100‑1200℃;(2)、将浓度为0.025g/ml的二茂铁和0.005g/ml的噻吩溶解在正己烷中;(3)、将溶解有二茂铁和噻吩的正己烷通入反应管中,继续通入惰性气体,牵引反应器中的基片向前运动,使基片的每个部位在反应器的反应段停留时间在10‑30min,反应物在基片上进行反应,可以连续成膜,基片运动至成型区冷却后,将成型的膜从基片上分离,石英管反应器的反应段中可以继续反应,实现碳纳米管电磁屏蔽膜的连续生产。
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