[发明专利]单晶碳的制作方法及系统在审
申请号: | 201410094199.9 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN103898604A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 张志东 | 申请(专利权)人: | 张志东 |
主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C30B23/08 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 056003 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶碳的制作方法及系统,涉及金刚石的制作方法技术领域。包括以下步骤:1)将碳源加热,产生含有高温碳原子的气体,然后将上述气体使用冷却装置进行冷却;2)将冷却后含有碳原子的气体进行干燥和去杂质处理,得到只含有碳原子的气体;3)将经过步骤2)处理后的气体经过电场进行加速,并通过磁场将加速后的碳原子定向发射至靶,所述靶使用单晶硅制作,且靶周围温度能够使碳原子与其结晶。使用所述方法能够制造大颗粒的单晶碳,降低了相关产品的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 单晶碳 制作方法 系统 | ||
【主权项】:
一种单晶碳的制作方法,其特征在于包括以下步骤:1)将碳源加热,产生含有高温碳原子的气体,然后将上述气体使用冷却装置进行冷却;2)将冷却后含有碳原子的气体进行干燥和去杂质处理,得到只含有碳原子的气体;3)将经过步骤2)处理后的气体经过电场进行加速,并通过磁场将加速后的碳原子定向发射至靶,所述靶使用单晶硅制作,且靶周围温度能够使碳原子与其结晶。
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