[发明专利]用于在低温下沉积SiN的Si前体

摘要

本发明的名称是用于在低温下沉积SiN的Si前体。提供用于通过原子层沉积（ALD）来沉积氮化硅膜的方法和前体。在一些实施方式中，硅前体包含碘配体。当沉积到如FinFET或其它类型的多栅极FET的三维结构上时，氮化硅膜在竖直与水平部分上均具有相对均匀的蚀刻速率。在一些实施方式中，本公开的各种氮化硅膜的蚀刻速率小于使用稀HF（0.5%）的热氧化物移除速率的一半。

主权项

1.一种在反应空间中的基板上沉积氮化硅薄膜的方法，包括：(a)将气相硅反应物引入所述反应空间中，使得硅前体吸附到所述基板的表面上；(b)移除过量硅反应物和反应副产物；(c)使所吸附的硅前体与由来自氮前体的等离子体所产生的反应性物质接触；(d)移除过量反应性物质和反应副产物；其中重复步骤(a)到(d)，直到形成期望厚度的氮化硅膜；其中所述硅反应物包含碘，并且其中在0.5％HF水溶液中所述氮化硅薄膜在三维特征的侧壁中的蚀刻速率与在0.5％HF水溶液中所述氮化硅薄膜在所述三维特征的顶部表面上的蚀刻速率的比值小于2。