[发明专利]具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法及使用方法在审

专利信息
申请号: 201410083024.8 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN104898370A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 胡华勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/80 分类号: G03F1/80
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法,通过激光在具有缺陷的图案处的石英玻璃中形成阴影以降低具有缺陷图案处的透光率,在利用具有缺陷图案的掩膜版进行曝光的过程中,避免了缺陷图案在晶圆上的形成,从而降低了光刻工艺后的晶圆发生缺陷的风险,由此再利用了具有缺陷的掩膜版,从而避免了修复具有缺陷的掩膜版或者重新制作掩膜版所带来的高制造成本的问题,即降低了制造成本;同时,又提高了生产良率。
搜索关键词: 具有 缺陷 图案 掩膜版 处理 方法 使用方法
【主权项】:
一种具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法,其特征在于,包括:提供一掩膜版,所述掩膜版包括多个图案,其中一个或者多个图案具有缺陷;通过激光在具有缺陷的图案处的石英玻璃中形成阴影以降低具有缺陷图案处的石英玻璃的透光率。
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