[发明专利]具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法及使用方法在审
| 申请号: | 201410083024.8 | 申请日: | 2014-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN104898370A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 胡华勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法,通过激光在具有缺陷的图案处的石英玻璃中形成阴影以降低具有缺陷图案处的透光率,在利用具有缺陷图案的掩膜版进行曝光的过程中,避免了缺陷图案在晶圆上的形成,从而降低了光刻工艺后的晶圆发生缺陷的风险,由此再利用了具有缺陷的掩膜版,从而避免了修复具有缺陷的掩膜版或者重新制作掩膜版所带来的高制造成本的问题,即降低了制造成本;同时,又提高了生产良率。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 缺陷 图案 掩膜版 处理 方法 使用方法 | ||
【主权项】:
一种具有缺陷图案的掩膜版的后处理方法,其特征在于,包括:提供一掩膜版,所述掩膜版包括多个图案,其中一个或者多个图案具有缺陷;通过激光在具有缺陷的图案处的石英玻璃中形成阴影以降低具有缺陷图案处的石英玻璃的透光率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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