[发明专利]激光蚀刻银浆的制备方法有效
| 申请号： | 201410082735.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103824611B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 田耕;刘洪 | 申请（专利权）人： | 广州北峻工业材料有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B1/24;H01B13/00;G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510665 广东省广州市天河区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光蚀刻银浆，包括银粉，高分子树脂，溶剂，所述激光蚀刻银浆还包括银粉重量0.001‑0.1％的纳米导电碳粒子。本发明还涉及激光蚀刻银浆的制备方法，银粉处理将纳米导电碳粒子在部分溶剂中分散均匀后，加入银粉，加热至10％‑60％的溶剂挥发；高分子树脂处理加入高分子树脂和剩余溶剂，加热充分溶解，过滤杂质或不溶物；银浆制备将处理后的银粉和高分子树脂在三辊机中研磨至细度1‑8微米，得到激光蚀刻银浆。本发明提供的激光蚀刻银浆，通过添加少量的导电碳粒子，增强了体系的分散性，进一步降低了体积电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 蚀刻 制备 方法 触摸屏 | ||
【主权项】：
一种激光蚀刻银浆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.银粉处理：将银粉重量0.001‑0.1％的纳米导电碳粒子在部分溶剂中分散均匀后，加入60‑90重量份的银粉，加热至10％‑60％的溶剂挥发；S20.高分子树脂处理：加入10‑30重量份的高分子树脂和剩余溶剂，加热充分溶解，过滤杂质或不溶物；S30.银浆制备：将处理后的银粉和高分子树脂，以及添加剂在三辊机中研磨至细度1‑8微米，得到激光蚀刻银浆；所述S10和S20中溶剂的总重量为10‑35重量份；所述的银粉为纳米银粉和微细银粉的混合物，纳米银粉和微细银粉的质量比为1:5‑1；所述的微细银粉是指银粉粒径在1～3微米的银粉；所述的纳米导电碳粒子为纳米石墨。
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