[发明专利]一种芯片级原子钟气室及其制备方法有效
| 申请号： | 201410082524.X | 申请日： | 2014-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103885325A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张忠山;乔东海;汤亮;韩胜男;季磊;栗新伟 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G04F5/14 | 分类号： | G04F5/14 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片级原子钟气室及其制备方法。具体为采用SOI硅片，在作为衬底的硅层上制备腔体，用以放置碱金属、充入惰性气体，并用玻璃封闭腔体，最后在作为器件层的硅层一侧设置支撑材料对器件进行保护，从而完成高稳定性的芯片级原子钟气室的制备；本发明只需通过一次关键的静电键合即可完成原子钟气室的制备，避免了因为静电键合的质量不好而导致气室稳定性差的问题；提高了产品成品率；本发明公开的气室结构简单合理，所以制得的气室体积小，使用简单，并且制备成本低，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 原子钟 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级原子钟气室的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在清洗后的由衬底层、埋层以及器件层构成的SOI硅片的衬底层上制备作为腔体的凹槽；（2）在手套箱中，氮气条件下，将碱金属或者用于制备碱金属的原料放入凹槽内；（3）在键合设备中，惰性气体气氛中，将SOI硅片的衬底层与玻璃进行静电键合；（4）在SOI硅片的器件层一侧设置一透明的支撑层。
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