[发明专利]图形化光刻胶的形成方法在审
| 申请号： | 201410081194.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103823334A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 顾以理;夏建慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形化光刻胶的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于1微米；对所述光刻胶层依次进行软烘和曝光；在所述曝光后的光刻胶层表面喷洒润湿剂，优化所述喷洒参数，在所述曝光后的光刻胶层表面形成润湿层；对表面润湿后的光刻胶层进行显影处理，形成图案化的光刻胶层。采用本发明的方法提高了对厚光刻胶的显影均匀性，并使其在不产生泡状缺陷的前提下大幅缩短形成图形化的光刻胶时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 光刻 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化光刻胶的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于1微米；对所述光刻胶层依次进行软烘和曝光；在所述曝光后的光刻胶层表面喷洒润湿剂，优化所述喷洒参数，在所述曝光后的光刻胶层表面形成润湿层；对形成润湿层的光刻胶层进行显影处理，形成图案化的光刻胶层。
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