[发明专利]一种光屏障基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本发明借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。

主权项

一种光屏障基板的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：使用常规掩膜版，通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成台阶状金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；包括：在绝缘层上方形成一层光刻胶，利用半色调掩膜版对光刻胶曝光、显影之后，待形成的金属电极过孔区域对应的光刻胶完全去除，金属电极与外部IC连线区域对应的光刻胶部分去除，剩余区域的光刻胶全部保留；采用第二次刻蚀工艺，在光刻胶完全去除区域刻蚀掉绝缘层，形成金属电极过孔；通过灰化工艺，去除半色调掩膜版曝光、显影后的光刻胶的部分厚度和部分区域，暴露出金属电极与外部IC连线区域对应的绝缘层；采用第三次刻蚀工艺，刻蚀掉金属电极与外部IC连线区域对应的绝缘层，形成沟道图形，同时去除剩余的光刻胶；在所述金属电极过孔和沟道图形上，形成透明电极层图形，包括：在与金属电极过孔对应的金属电极上方，以及与沟道图形对应的绝缘层上方，形成透明电极层，采用研磨工艺，将光屏障基板上表面研磨为水平表面，同时实现非过孔和非沟道区域的绝缘层上方的透明电极层被去除，形成透明电极层图形。