[发明专利]用于还原金属晶种层上的金属氧化物的方法及装置有效
| 申请号: | 201410080405.0 | 申请日: | 2014-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN104037080B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
| 发明(设计)人: | 泰伊·A·斯柏林;乔治·安德鲁·安东内利;娜塔莉亚·V·杜比纳;詹姆斯·E·邓肯;乔纳森·D·里德;大卫·波特;达西·E·郎伯;杜尔迦拉克什米·辛格尔;史蒂芬·劳;马歇尔·斯托厄尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开用于还原金属晶种层上的金属氧化物的方法及装置,具体公开用于还原金属氧化物表面以改性金属表面的方法及设备。通过使金属氧化物表面暴露于远程等离子体,衬底上的金属氧化物表面可以被还原成纯金属和回流的金属。远程等离子体设备在单独独立的设备中不仅可以处理金属氧化物表面,而且可以冷却、装载/卸载并移动衬底。远程等离子体设备包括处理室和控制器,所述控制器被配置为:在处理室中提供具有金属晶种层的衬底:形成还原性气体物质的远程等离子体,其中远程等离子体包括来自还原性气体物质的自由基、离子和/或紫外线(UV)辐射;并且使衬底的金属晶种层暴露于远程等离子体以使金属晶种层的氧化物还原成金属并且使金属回流。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 还原 金属 晶种层上 氧化物 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制备具有金属晶种层的衬底的方法,所述方法包括:在处理室中提供衬底,在所述衬底电镀表面上具有所述金属晶种层,其中所述金属晶种层的一部分已经转化成所述金属的氧化物;在远程等离子体源中形成还原性气体物质的远程等离子体,其中所述远程等离子体包括来自所述还原性气体物质的自由基、离子以及紫外线(UV)辐射中的一种或多种;并且使所述衬底的所述金属晶种层暴露于所述远程等离子体,其中暴露于所述远程等离子体使所述金属的所述氧化物还原成与所述金属晶种层结合在一起的薄膜形式的所述金属,在暴露于所述远程等离子体完成之后使用主动冷却系统冷却所述衬底,其中冷却所述衬底包括使用来自一或多个冷却气体入口的冷却气体冷却衬底以及使用支撑衬底的主动冷却基座冷却衬底中的一者或两者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410080405.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:心脏血液循环实验用血压控制装置
- 下一篇:学生实验台四组独立输出及保护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





