[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410080036.5 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037286A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 木村重哉;名古肇;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体发光元件包括n型的第一半导体层、p型的第二半导体层和发光单元。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层包括氮化物半导体。发光单元被设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠。阱层包括最接近第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近第二半导体层的第二p侧阱层。第一p侧阱层的激子的定域能小于第二p侧阱层的激子的定域能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：包括氮化物半导体的n型第一半导体层；包括氮化物半导体的p型第二半导体层；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光单元，所述发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠，所述阱层包括最接近所述第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近所述第二半导体层的所述第二p侧阱层，所述第一p侧阱层的激子的定域能小于所述第二p侧阱层的激子的定域能。
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