[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法在审
| 申请号: | 201410078410.8 | 申请日: | 2014-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN104347651A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
| 发明(设计)人: | 田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法,提高放大晶体管的输出线性。根据本发明的一个实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电转换元件、浮动传播区以及放大晶体管。光电转换元件将入射的光光电转换成与受光量相对应的量的电荷而进行蓄积。浮动传播区临时蓄积从光电转换元件读出的电荷。放大晶体管的栅极电极与浮动传播区连接,输出基于蓄积于浮动传播区的电荷量的信号。此外,放大晶体管具备设置于耗尽层的最大区域的至少一部分的第一浓度区域以及设置于比第一浓度区域深的位置且杂质浓度比第一浓度区域的杂质浓度高的第二浓度区域。 | ||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,具备:光电转换元件,将入射的光光电转换成与受光量相对应的量的电荷而进行蓄积;浮动传播区,临时蓄积从所述光电转换元件读出的电荷;以及放大晶体管,栅极电极与所述浮动传播区连接,该放大晶体管输出基于蓄积于所述浮动传播区的电荷量的信号,所述放大晶体管具备:第一浓度区域,设置于耗尽层的最大区域的至少一部分;以及第二浓度区域,设置于比所述第一浓度区域深的位置,杂质浓度比所述第一浓度区域的杂质浓度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





