[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410077737.3 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104900614B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒;江昱维 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上，并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。介电结构包括一上介电部分与一下介电部分。介电层介于上介电部分与下介电部分之间，且材料异于上介电部分与下介电部分。第一导电插塞仅穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第一导电结构。第二导电插塞穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第二导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：形成一第一导电结构于一基板上；形成一第一介电层于该第一导电结构的下介电部分上；形成一第二导电结构于该基板上，该第二导电结构具有材料异于该第一导电结构的一上导电部分；形成一介电结构的一下介电部分于该第一导电结构与该第二导电结构上；形成一第二介电层于该第二导电结构的下介电部分上；形成该介电结构的一上介电部分于该第一介电层与该第二介电层上，该第一介电层与该第二介电层的材料异于该上介电部分与该下介电部分；形成一第一导电插塞，仅穿过该上介电部分、该第一介电层与该下介电部分，以物性且电性接触该第一导电结构；以及形成一第二导电插塞，穿过该上介电部分、该第二介电层与该下介电部分，以物性且电性接触该第二导电结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410077737.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶片封装体及其制造方法
- 下一篇：一种堆叠模组散热结构及其制作方法
