[发明专利]控制晶体光纤生长形貌的方法无效

专利信息
申请号: 201410077083.4 申请日: 2014-03-04
公开(公告)号: CN104073881A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 陈平夷 申请(专利权)人: 美和学校财团法人美和科技大学
主分类号: C30B29/60 分类号: C30B29/60;C30B13/30;G02B6/02
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 潘光兴
地址: 中国台湾屏*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种以浮动熔区方式控制晶体光纤形貌生长,致使其截面长成特定形貌的方法,该方法包括:以镭射光聚焦于一晶原棒位于其同一径向截面的二对称加热点上,且持续加热该晶原棒,使得其端部在镭射光作用下受热熔融而形成一半球状的熔区;以一籽晶沿该晶原棒的轴心线向下接触该熔区,并沿该轴心线移动该晶原棒朝该籽晶方向推挤,同时移动该籽晶朝远离该晶原棒方向拉伸,以在该籽晶移动速度大于该晶原棒移动速度,且维持二者间稳定速度差之下,使该熔区被拉伸形成一缩颈部;及以该籽晶持续提拉该缩颈部至长出一椭圆截面或薄体形貌的晶体光纤。
搜索关键词: 控制 晶体 光纤 生长 形貌 方法
【主权项】:
一种控制晶体光纤生长形貌的方法,其特征在于,包括:备制一个晶原棒,且邻近该晶原棒端部标记有二个对称加热点,该二个加热点位于该晶原棒的同一个径向截面;以镭射光聚焦于该晶原棒的二个对称加热点上,持续加热该晶原棒,使得该晶原棒端部在镭射光的作用下受热熔融而形成一个半球状的熔区,且位于该二个对称加热点的熔区表面温度远高于该熔区周边温度;以一个籽晶沿该晶原棒的轴心线向下接触该熔区,并沿该轴心线移动该晶原棒朝该籽晶方向推挤,同时沿该轴心线移动该籽晶朝远离该晶原棒方向拉伸,以在该籽晶移动速度大于该晶原棒移动速度,且维持二者间稳定速度差之下,使该熔区被拉伸形成一个缩颈部;及以该籽晶持续拉伸该缩颈部至长出一个晶体光纤,该晶体光纤的截面形貌呈椭圆。
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