[发明专利]清洗焊盘的方法有效
申请号: | 201410077012.4 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN104900481B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 徐伟;刘国安 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23G1/10;C23G1/12;C23G5/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种清洗焊盘的方法,包括:提供形成有互连线层的衬底,所述互连线层表面形成有焊盘,所述焊盘表面形成有钝化层;刻蚀去除位于焊盘表面的钝化层,直至暴露出焊盘表面,且焊盘表面残留有卤族离子;对所述焊盘执行酸性清洗处理,去除焊盘表面残留的卤族离子,所述酸性清洗处理采用的清洗液为磷酸铬溶液。本发明采用具有酸性的清洗液对焊盘进行清洗,有效的去除焊盘表面残留的卤族离子,防止焊盘发生腐蚀,提高焊盘的抗拉强度和接合强度,从而提高半导体器件的导电性和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 焊盘表面 焊盘 卤族离子 去除 清洗 互连线层 酸性清洗 残留 钝化层 清洗液 半导体器件 导电性 表面形成 接合 磷酸铬 衬底 对焊 刻蚀 腐蚀 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种清洗焊盘的方法,其特征在于,包括:提供形成有互连线层的衬底,所述互连线层表面形成有焊盘,所述焊盘表面形成有钝化层;刻蚀去除位于焊盘表面的钝化层,直至暴露出焊盘表面,且焊盘表面残留有卤族离子;对所述焊盘执行酸性清洗处理,去除焊盘表面残留的卤族离子,所述酸性清洗处理采用的清洗液为磷酸铬溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410077012.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高K金属栅极结构的制作方法
- 下一篇:用气体填充以抑制自点火的闪光灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造