[发明专利]改善IGBT关断性能的电路有效
| 申请号： | 201410073568.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104883167B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善IGBT关断性能的电路，其包括IGBT、电流变化检测电路、以及栅极电阻变化电路，所述IGBT与第一电阻相串联；所述电流变换检测电路包括第一晶体管、电容器、分流电阻，所述第一晶体管的基极和集电极分别与供电端和输出端相连接，所述基极和供电端之间连接有第二电阻，所述集电极和输出端之间连接有第三电阻；所述栅极电阻变化电路包括第二晶体管、第三晶体管、二极管、第四电阻、以及第五电阻。本发明的改善IGBT关断性能的电路能够改变IGBT关断过程中IGBT的栅极电阻的大小，满足IGBT开通时小栅极电阻、关断时相对大栅极电阻的需求。解决了关断损耗与电压过冲之间的矛盾，提高了IGBT关断性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 igbt 性能 电路 | ||
【主权项】：
一种改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述改善IGBT关断性能的电路包括：IGBT、电流变化检测电路、以及栅极电阻变化电路，所述IGBT与第一电阻相串联；所述电流变化检测电路包括：第一晶体管、电容器、分流电阻，所述第一晶体管与所述电容器相串联，且与所述分流电阻相并联，且所述电容器位于所述第一晶体管的基极和所述分流电阻之间，所述第一晶体管的基极和集电极分别与供电端和输出端相连接，所述基极和供电端之间连接有第二电阻，所述集电极和输出端之间连接有第三电阻；所述栅极电阻变化电路包括：第二晶体管、第三晶体管、二极管、第四电阻、以及第五电阻；所述第四电阻与所所述第一电阻相串联，且所述第四电阻的两端并联有第二晶体管和二极管，所述第二晶体管和二极管之间相互串联，所述第二晶体管的基极串联有所述第五电阻和第三晶体管，所述第三晶体管的基极与第一晶体管的集电极相连接，且所述第三晶体管的发射极接地。
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