[发明专利]一种基片承载装置有效
| 申请号: | 201410070432.X | 申请日: | 2014-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN104882402B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
| 发明(设计)人: | 江惟上 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提出一种基片承载装置,其特征在于,包括承片台,用于承载基片;真空沟槽,位于所述承片台内部,所述真空沟槽内开有多个真空通道小孔,用于吸附所述基片;旋转台,位于承片台下方,用于驱动所述承片台带动所述基片旋转;转接头,所述转接头包括位于承片台内的转接头上部,和位于旋转台内部的转接头下部;真空通道,位于所述转接头内部,真空源通过所述真空通道与真空沟槽相连;轴承和轴承座,位于旋转台内部,所述轴承的外圈通过所述轴承座与承片台固定,所述轴承的内圈安装于转接头外侧,所述承片台通过所述轴承相对于所述转接头旋转,使得所述承片台相对于所述转接头旋转时,所述转接头不发生旋转并且所述真空通道不发生扭转。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 承载 装置 | ||
【主权项】:
一种基片承载装置,其特征在于,包括:承片台,用于承载基片;真空沟槽,位于所述承片台内部,所述真空沟槽内开有多个真空通道小孔,用于吸附所述基片;旋转台,位于承片台下方,用于驱动所述承片台带动所述基片旋转;转接头,所述转接头包括位于承片台内的转接头上部,和位于旋转台内部的转接头下部;真空通道,位于所述转接头内部,真空源通过所述真空通道与真空沟槽相连;轴承和轴承座,位于旋转台内部,所述轴承的外圈通过所述轴承座与承片台固定,所述轴承的内圈安装于转接头外侧,所述承片台通过所述轴承相对于所述转接头旋转,使得所述承片台相对于所述转接头旋转时,所述转接头不发生旋转并且所述真空通道不发生扭转;执行机构,固定在承片台下方,所述执行机构离承片台中心的距离小于最大真空沟槽的半径;环形凹槽,位于所述转接头上部的外侧;转接头压力流体通道,位于所述转接头内部,流体源通过转接头压力流体通道与所述环形凹槽相连并向所述环形凹槽内充流体;承片台压力流体通道,位于所述承片台内部,所述环形凹槽通过承片台压力流体通道与所述执行机构相连;其中,所述流体源通过是否充流体来控制所述执行机构打通或切断径向通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





