[发明专利]覆晶式LED芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种覆晶式LED芯片的制作方法，包含步骤：在衬底上层叠第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；形成第一电极孔；在第二导电型半导体层的正面覆盖导电层，并蚀刻第一电极孔的延伸部；在导电层的正面覆盖反射层，并蚀刻第一电极孔的延伸部；蚀刻反射层，形成多个第二电极孔，第二电极孔围绕第一电极孔的周围均匀分布；成型第一电极和第二电极；在发射层的正面成型第一导电层；在第一导电层的正面成型隔离层；在隔离层上蚀刻第一导电孔和第二导电孔，并在孔中成型导电金属电极；在隔离层的正面成型第二导电层。其有益效果是：保证LED芯片发光的均匀，同时有效防止LED芯片漏电，显著提高产品良率。

主权项

一种覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：在衬底上依次层叠第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；采用第一掩模蚀刻发光层和第二导电型半导体层，形成暴露第一导电型半导体层的至少一个第一电极孔，所述第一电极孔在发光层上均匀分布；在第二导电型半导体层的正面覆盖具有高透射率的导电材料形成导电层，并采用第一掩模在该导电层上蚀刻第一电极孔的延伸部；在导电层的正面覆盖具有高反射率的绝缘材料形成反射层，并采用第一掩模在该反射层上蚀刻第一电极孔的延伸部，同时该绝缘材料覆盖在第一电极孔的孔壁上形成绝缘层；采用第二掩模蚀刻反射层，形成暴露导电层的多个第二电极孔，所述第二电极孔围绕第一电极孔的周围均匀分布；采用金属导电材料成型经由第一电极孔连接至第一导电型半导体层的第一电极、经由第二电极孔连接至导电层的第二电极；采用金属导电材料在发射层的正面成型第一导电层，所述第一导电层包括覆盖第一电极的第一电极区和覆盖第二电极的第二电极区，所述第一电极区和第二电极区互不相连，第一导电层暴露出部分的第一电极和第二电极；采用绝缘材料在第一导电层的正面成型隔离层，所述隔离层覆盖该覆晶式LED芯片的顶面以及第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面；在隔离层上蚀刻暴露第一电极区的第一导电孔和暴露第二电极区的第二导电孔；采用金属导电材料在所述第一导电孔和第二导电孔中成型导电金属电极；采用金属导电材料在隔离层的正面成型第二导电层，所述第二导电层分别与所述导电金属电极电性相连以形成两个电极连接点。