[发明专利]一种太赫兹波背腔式片载天线有效
申请号: | 201410063908.7 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN103762420A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 邓小东;熊永忠 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/04 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 李崧岩 |
地址: | 621054*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种太赫兹波背腔式片载天线,包括依次重叠设置的底层金属层、介质层、顶层金属层,所述顶层金属层上开设有一区域用于设置呈矩形状且其上带有缝隙的缝隙加载辐射贴片,在顶层金属层上通过走线形成的金属条的一端与缝隙加载辐射贴片垂直连接进而形成CPW馈电端,在顶层金属层外的CPW馈电端下方的底层金属层上开设矩形缝隙构成电磁带隙匹配网络,底层金属层与顶层金属层通过金属过孔连接形成一U形状的SIW谐振背腔。本发明的天线结构,使天线结构紧凑,增加天线增益,提高天线辐射效率,增加天线的阻抗带宽,满足在太赫兹波成像、太赫兹无损探测以及太赫兹通信等领域的应用要求,且与主流CMOS工艺全面兼容,适用于各种电阻率的硅基片。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫兹 波背腔式片载 天线 | ||
【主权项】:
一种太赫兹波背腔式片载天线,包括依次重叠设置的底层金属层(6)、介质层、顶层金属层(7),其特征在于,所述顶层金属层上开设有一区域用于设置呈矩形状且其上带有缝隙(4)的缝隙加载辐射贴片(3),在顶层金属层上通过走线形成的金属条的一端与缝隙加载辐射贴片垂直连接进而形成CPW馈电端(1),其另一端延伸至顶层金属层外,在顶层金属层外的CPW馈电端下方的底层金属层上开设矩形缝隙构成电磁带隙匹配网络(2),底层金属层与顶层金属层通过金属过孔连接形成一U形状的SIW谐振背腔(5),该U形的开口端朝向CPW馈电端,缝隙加载辐射贴片该U形的开口内。
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