[发明专利]分裂栅极非易失性存储器(NVM)单元及其方法有效
| 申请号： | 201410063137.1 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104022119B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 姜盛泽;洪全敏 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及分裂栅极非易失性存储器(NVM)单元及其方法。分裂栅极存储器结构包括：有源区的柱（14），具有设置在柱的第一端处的第一源极/漏极区、设置在柱的与第一端相对的第二端处的第二源极/漏极区、以及位于第一和第二源极/漏极区（42，38）之间的沟道区（40）。柱具有延伸于第一端和第二端之间的主表面，其中主表面暴露出第一源极/漏极区、沟道区和第二源极/漏极。选择栅极与第一源极/漏极区和沟道区的第一部分相邻，其中选择栅极围绕柱的主表面。电荷存储层与第二源极/漏极区和沟道区的第二部分相邻，其中电荷存储层围绕柱的主表面。控制栅极与电荷存储层相邻，其中控制栅极围绕柱。 | ||
| 搜索关键词： | 分裂 栅极 非易失性存储器 nvm 单元 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分裂栅极存储器结构，包括：有源区的柱，具有设置在所述柱的第一端处的第一源极/漏极区、设置在所述柱的与所述第一端相对的第二端处的第二源极/漏极区、以及位于所述第一和第二源极/漏极区之间的沟道区，其中所述柱有延伸于所述第一端和所述第二端之间的主表面，其中所述主表面暴露所述第一源极/漏极区、所述沟道区和所述第二源极/漏极区；选择栅极，与所述第一源极/漏极区和所述沟道区的第一部分相邻，其中所述选择栅极围绕所述柱的所述主表面；电荷存储层，与所述第二源极/漏极区和所述沟道区的第二部分相邻，其中所述电荷存储层围绕所述柱的所述主表面；以及控制栅极，与所述电荷存储层相邻，其中所述控制栅极围绕所述柱，并且其中所述电荷存储层位于所述控制栅极和所述柱之间。
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