[发明专利]芯片分区采集最佳光线偏振信号的缺陷程式建立方法有效
| 申请号： | 201410060660.9 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839767A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种芯片分区采集最佳光线偏振信号的缺陷程式建立方法，包括：执行步骤S1：对所述待缺陷检测之芯片根据图形特征进行划区形成各功能区域；执行步骤S2：对所述不同的功能区域进行入射光不同偏振信号测试，所述测试用偏振检测光源的偏振角度范围为0～360°；执行步骤S3：根据所述功能区域和入射光的光学偏振类型之对应关系，确定各功能区域的最灵敏光学偏振类型，并将所述最灵敏光学偏振类型设置在所述缺陷程式之对应于所述功能区域的检测程式中。本发明所建立的缺陷程式在检测芯片缺陷时，根据不同的功能区域确定最灵敏的光学偏振类型，获得分辨率最高的图形，实现了对复杂芯片整体灵敏度的优化和控制，提高了缺陷检测效率和准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 分区 采集 最佳 光线 偏振 信号 缺陷 程式 建立 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片分区采集最佳光线偏振信号的缺陷程式建立方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：对所述待缺陷检测之芯片根据图形特征进行划区，以形成各功能区域；执行步骤S2：对所述不同的功能区域进行入射光不同偏振信号测试，所述测试用偏振检测光源的偏振角度范围为0～360°，所述入射光之不同偏振信号对应于不同的光学偏振类型；执行步骤S3：根据所述功能区域和入射光的光学偏振类型之对应关系，确定各功能区域的最灵敏光学偏振类型，并将所述最灵敏光学偏振类型设置在所述缺陷程式之对应于所述功能区域的检测程式中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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