[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410060066.X | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104425565B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;尾原亮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 庞乃媛,黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极及第二电极。第一半导体区域具有第一导电型。第一电极与第一半导体区域肖特基接合。第二半导体区域具有第二导电型，设置在第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域具有第二导电型，设置在第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域与第一电极欧姆接合。第三半导体区域具有第一部分和深度比第一部分浅的第二部分。第三半导体区域的第一半导体区域侧通过第一部分和第二部分构成凹凸形状。第二电极设置在第一半导体区域的与第一电极相反的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，具有：第一导电型的第一半导体区域；第一电极，设置在所述第一半导体区域之上；第二导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第一电极之间；第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第一电极之间，具有与所述第二半导体区域的杂质浓度实质相等的杂质浓度，由第一部分和深度比所述第一部分浅的第二部分在所述第一半导体区域侧构成凹凸形状；第一导电型的第四半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第三半导体区域之间，具有比所述第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二电极，设置在所述第一半导体区域的与所述第一电极相反的一侧。
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