[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法有效
| 申请号： | 201410059990.6 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104867832B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘竹;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括在氮化硅层表面淀积绝缘层；在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度。本发明提供的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，在小于漏源软击穿的阈值温度的设定温度下对绝缘层进行回流处理，通过降低回流处理时的温度，使得源区横向扩散的距离变短，体区的有效沟道长度变长，降低了器件体区/外延层漂移区结反向偏置状态下体区耗尽层穿通到源区的风险，达到解决器件漏源软击穿的目的。且该方法对器件的其余电性参数基本无影响，避免了人力物力的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在氮化硅层表面淀积绝缘层；在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度；其中，所述漏源软击穿的阈值温度根据所述绝缘层的材料确定；所述绝缘层为硼磷硅玻璃；所述漏源软击穿的阈值温度为875℃；所述设定温度大于800℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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