[发明专利]一种增强硅基成像器件CCD或者CMOS器件红外响应的方法

摘要

本发明公开了一种增强硅基成像器件（CCD（电荷藕合器件）或者CMOS（互补金属氧化物半导体）器件）红外响应的方法，步骤如下（1）通过激光或者离子注入的方法对硅基底材料进行高浓度掺杂；（2）对步骤（1）得到的高浓度掺杂硅材料进行热退火或者脉冲激光退火；（3）通过标准CCD（电荷藕合器件）或者CMOS（互补金属氧化物半导体）器件工艺，使用步骤（2）得到的性能优化后的高浓度掺杂硅基底，制作成像器件。使用该方法，能极大增强传统的标准CCD（电荷藕合器件）或者CMOS（互补金属氧化物半导体）成像器件在近红外的响应度(0.8μm～1.1μm)，并能响应波长大于1.1μm的光波。

主权项

一种增强硅基成像器件CCD或者CMOS器件红外响应的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）通过激光或者离子注入的方法对硅基底材料进行高浓度掺杂；（2）对步骤（1）得到的高浓度掺杂硅材料进行热退火或者脉冲激光退火；（3）通过标准CCD或者CMOS器件工艺，使用步骤（2）得到的性能优化后的高浓度掺杂硅基底，制作成像器件；采用如下装置对硅基底材料进行高浓度掺杂及退火，该装置由加工用激光器(1)、退火用激光器（5），快门（2）、（6），空间光整形器（3）、（7），聚焦透镜（4）、（8），双色镜（9），扫描振镜（10），真空室（11），加热器（13），电控三维平移台（14），快门控制器（15），空间光整形器控制器（16），加热器控制器（17），三维平台控制器（18），计算机（19）组成；所述加工用激光器（1）的输出光束通过快门（5）之后，经过空间光整形器（3）调整为平顶分布，通过透镜（4）聚焦之后，通过双色镜入射到扫描振镜（10）；退火所用激光器（5）的输出激光通过光学快门（6）之后，通过空间光整形器（7）调整为平顶分布，通过透镜（8）聚焦之后，通过双色镜（9）反射进入扫描振镜；扫描振镜会调整出射激光的方向和角度，使之通过真空室的窗口，入射到样品表面；这样，在加工的同时就能够进行原位退火，降低了时间成本。