[发明专利]PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件在审
| 申请号： | 201410055655.9 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104072133A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸;野口毅 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，其中，薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。 | ||
| 搜索关键词： | pzt 系铁电 薄膜 及其 形成 方法 复合 电子 组件 | ||
【主权项】：
一种PZT系铁电薄膜，其通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的所述下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，所述PZT系铁电薄膜的特征在于，所述薄膜由从所述薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在所述薄膜表面的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与所述PZT系粒子不同性质的微粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410055655.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
