[发明专利]用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置有效
| 申请号： | 201410053269.6 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811247A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 韩文彬;冯涓;段文睿;田凌 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 刻蚀 聚焦 具有 装置 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，其特征在于，包括：下环，所述下环采用耐等离子体腐蚀的绝缘体制成；中环，所述中环位于所述下环之上，采用导体制成；上环，所述上环位于所述中环之上，采用半导体或绝缘体制成。
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