[发明专利]硅的各向异性刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410052013.3 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104843633A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 丁敬秀;金滕滕;张先明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅的各向异性刻蚀方法，包括以下步骤：S1：提供一单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底正面形成图形化掩模层，并在所述单晶硅衬底背面形成一保护层；S2：以所述图形化掩模层为掩模，采用高腐蚀速率的第一浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第一预设时间；S3：进一步以所述图形化掩模层为掩模，采用低腐蚀速率的第二浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第二预设时间，形成腔体结构。本发明使用不同的工艺条件进行两步蚀刻，可以显著缩短制程时间、提高生产效率、减少产能需求，同时保证工艺质量、晶面无缺陷，并且由于采用了低浓度的蚀刻液，可以减少蚀刻液使用量，节省生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅的各向异性刻蚀方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底正面形成图形化掩模层，并在所述单晶硅衬底背面形成一保护层；S2：以所述图形化掩模层为掩模，采用第一浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第一预设时间；S3：进一步以所述图形化掩模层为掩模，采用第二浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第二预设时间，形成腔体结构；所述第二浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底的腐蚀速率小于所述第一浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底的腐蚀速率。
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