[发明专利]一种Ag纳米粒子点缀石墨烯复合薄膜材料及制备在审
申请号: | 201410045942.1 | 申请日: | 2014-02-10 |
公开(公告)号: | CN103779499A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 张勤芳;廖开明;陆伟华;王保林 | 申请(专利权)人: | 苏州新锐博纳米科技有限公司;盐城工学院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | Ag纳米粒子点缀石墨烯复合薄膜材料,Ag纳米颗粒单面或者双面吸附在石墨烯表面,Ag纳米颗粒直径在1-100nm之间。石墨烯表面单面吸附Ag纳米颗粒的、或双面吸附时折合成单面的覆盖率调节在40%-100%之间。且Ag颗粒间隙在2-10纳米。本发明石墨烯材料光电吸收中应用。且Ag纳米颗粒的复合能有效提高石墨烯光电流密度,通过调节沉积时间可以改变纳米颗粒薄膜的形貌,从而进一步调控复合材料的光吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 ag 纳米 粒子 点缀 石墨 复合 薄膜 材料 制备 | ||
【主权项】:
Ag纳米粒子点缀石墨烯复合薄膜材料,其特征是Ag纳米颗粒单面或者双面吸附在石墨烯表面,Ag纳米颗粒直径在1‑100nm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州新锐博纳米科技有限公司;盐城工学院,未经苏州新锐博纳米科技有限公司;盐城工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045942.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法
- 下一篇:单把手开关双启闭陶瓷阀芯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择