[发明专利]一种基于离子印迹技术的光子晶体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201410045907.X | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103804600A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 胡晓斌;洪炜;赵斌元 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C08F226/06 | 分类号： | C08F226/06;C08F220/14;C08F212/08;C08F222/10;C08F2/48;C08J9/26;C08J5/18;C08L39/08;C08L33/12;C08L25/08;C08L35/02;G01N21/25 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于离子印迹技术的光子晶体薄膜的制备方法，包括溶胶凝胶合成单分散二氧化硅微球；利用自组装方法将二氧化硅微球沉积在玻璃基底上形成规整的二氧化硅蛋白石光子晶体薄膜；去除二氧化硅光子晶体薄膜，得到离子印迹反蛋白石结构聚合物光子晶体薄膜；洗脱离子印迹反蛋白石结构聚合物光子晶体薄膜中的重金属离子，即得到光子晶体薄膜。与现有技术相比，本发明设计新颖合理，成本低廉，可重复性好。本发明所制得的反蛋白石结构聚合物光子晶体薄膜，用于重金属离子的检测具有高的灵敏度、选择性和适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 印迹 技术 光子 晶体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于离子印迹技术的光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤： (1)溶胶凝胶合成单分散二氧化硅微球：控制水浴温度为10‑35℃，依次将硅酸酯、水、氨水加入乙醇中，搅拌均匀，反应10‑15h制备得到稳定性、均一性良好的二氧化硅微球乳液； (2)利用离心‑超声纯化得到的二氧化硅微球乳液，再利用恒温箱控制温度为10‑40℃，采用自组装方法，将二氧化硅微球沉积在玻璃基底上形成规整的二氧化硅蛋白石光子晶体薄膜； (3)在二氧化硅蛋白石光子晶体薄膜上滴入离子印迹聚合物前驱体溶液，紫外光照聚合，并用0.8‑2wt％的氢氟酸处理10‑60min，去除二氧化硅光子晶体薄膜，得到离子印迹反蛋白石结构聚合物光子晶体薄膜； (4)利用乙二胺四乙酸缓冲溶液洗脱离子印迹反蛋白石结构聚合物光子晶体薄膜中的重金属离子，即得到光子晶体薄膜。
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