[发明专利]分离栅存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410045297.3 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821318A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分离栅存储器件及其形成方法。所述分离栅存储器件包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底中的浮栅介质层和浮栅，所述浮栅的上表面齐平于或高于所述半导体衬底的上表面；依次位于所述浮栅上的控制栅介质层和控制栅；依次位于所述半导体衬底上的字线介质层和字线；位于相邻所述浮栅之间的所述半导体衬底中的源区以及位于所述字线远离所述浮栅一侧的所述半导体衬底中的漏区；位于相邻的所述控制栅之间的所述半导体衬底上的隧穿介质层和位于所述隧穿介质层上的擦除栅。本发明可以有效抑制器件微缩下的漏电流，降低分离栅存储器件的整体厚度，利于器件的小型化和应用的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种分离栅存储器件，其特征在于，包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底中的浮栅介质层和浮栅，所述浮栅的上表面齐平于或高于所述半导体衬底的上表面；依次位于所述浮栅上的控制栅介质层和控制栅；依次位于所述半导体衬底上的字线介质层和字线；位于相邻所述浮栅之间的所述半导体衬底中的源区以及位于所述字线远离所述浮栅一侧的所述半导体衬底中的漏区；位于相邻的所述控制栅之间的所述半导体衬底上的隧穿介质层和位于所述隧穿介质层上的擦除栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
