[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构，伪栅极结构两侧的衬底内具有源区和漏区，源区和漏区表面具有半导体层，衬底、半导体层、伪栅极结构的侧壁表面具有第一介质层，第一介质层暴露出伪栅极层的顶部表面；去除伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在第一开口的侧壁和底部表面形成栅介质层；在栅介质层表面形成填充满第一开口的牺牲层；之后，在第一介质层内形成暴露出半导体层的第一通孔；采用自对准硅化工艺在第一通孔底部的半导体层表面形成电接触层；之后，去除牺牲层直至暴露出栅介质层，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口内形成栅极层；在电接触层表面形成导电插塞。所形成的晶体管性能改善。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极层，所述伪栅极结构两侧的衬底内具有源区和漏区，所述源区和漏区表面具有半导体层，所述衬底和半导体层表面、以及伪栅极结构的侧壁表面具有第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层的顶部表面；去除所述伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁和底部表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满第一开口的牺牲层，所述牺牲层的材料为无定形碳或光刻胶；在形成所述牺牲层之后，在所述第一介质层内形成暴露出半导体层的第一通孔；采用自对准硅化工艺在所述第一通孔底部的半导体层表面形成电接触层；在形成电接触层之后，去除所述牺牲层直至暴露出栅介质层，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口内形成栅极层；在所述电接触层表面形成导电插塞。