[发明专利]具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法

摘要

一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。

主权项

一种制造集成电路的方法，包含如下步骤：形成于虚拟栅极堆栈上方的层间介电层，该虚拟栅极堆栈形成于半导体基底上方，该虚拟栅极堆栈包含虚拟栅极结构、硬掩模设置于该虚拟栅极结构上方、和侧壁分隔物沿着该虚拟栅极结构与该硬掩模的侧边设置；移除该虚拟栅极堆栈的至少一上方部分，以在该层间介电层内形成第一开口；在该第一开口内沿着该层间介电层形成薄衬垫；通过完全移除该虚拟栅极堆栈的该虚拟栅极结构扩展该第一开口以形成第一扩展开口，借以曝露该半导体基底的一部分；在该第一开口内和该第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层；移除该第一开口内的部分该至少一功函数材料层；以及在该至少一功函数材料层的残留部位上方沉积低电阻材料，借以形成包含该至少一功函数材料层的该残留部位和该低电阻材料的取代金属栅极结构。