[发明专利]电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法有效
| 申请号： | 201410041741.4 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810048B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;徐崇威;周群策 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法，该电阻式存储装置包括：一具有多个垂直结构的3D存储单元阵列，3D存储单元阵列的存储单元位于上述垂直结构的侧壁，上述存储单元的第一部分施加一第一电压，使第一部分的存储单元作为工作存储器，上述存储单元的第二部分施加一第二电压，使第二部分的存储单元作为储存存储器。此外，本发明的第一部分存储单元在温度为90℃～100℃的可靠度可大于1015，可作为一工作存储装置，且第二部分存储单元有较佳的持久度，使其持久度足够好可作为一储存存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 电阻式存储装置 存储单元阵列 垂直结构 存储装置 持久度 施加 储存存储器 工作存储器 可靠度 侧壁 储存 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储装置，其特征在于，该电阻式存储装置包括：一基底；一存储单元阵列，包括沿该基底表面垂直方向延伸的多个垂直结构；多个第一导线，其中，所述第一导线中相邻的两第一导线间设置一绝缘层；一第一电阻转换层和一第二电阻转换层，设置于所述垂直结构的侧壁上；及多个第二导线，沿与所述第一导线垂直的方向延伸；其中，该存储单元阵列包括多个存储单元；其中，所述存储单元的第一部分施加一第一电压，使该第一部分的存储单元作为工作存储器，所述存储单元的第二部分施加小于该第一电压的一第二电压，使该第二部分的存储单元作为储存存储器，其中该第一部分的存储单元位于该第一电阻转换层和该第二电阻转换层两者的一第一区中，且该第二部分的存储单元位于该第一电阻转换层和该第二电阻转换层两者的一第二区中。
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