[发明专利]等离子体CVD装置用的晶片加热器有效
| 申请号： | 201410039716.2 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104465453B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 三云晃;木村功一;夏原益宏;仲田博彦 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 装置 晶片 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种晶片加热器，由陶瓷制成，具备具有升降销通孔的晶片载置面，该晶片加热器的特征在于，从上述晶片载置面侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路和发热体电路，在从与上述晶片载置面垂直的方向对上述高频电路和发热体电路这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于上述升降销通孔的周围且局部不存在上述高频电路的环状区域内配置有上述发热体电路的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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