[发明专利]一种铁电存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中噻吩或噻吩衍生物的聚合物形成粉末，掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。

主权项

1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中噻吩或噻吩衍生物的聚合物形成粉末，掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4，作为噻吩或噻吩衍生物的聚合物，可列举具有可用下述式(1)表示的重复单元的聚合物。式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的卤代烷基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数6～40的芳基氨基、取代或未取代的核碳原子数6～40的芳基、或取代或未取代的核碳原子数2～40的杂环基，相邻的取代基也可以彼此互相结合而形成环。