[发明专利]一种铁电存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。

主权项

1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4，作为多取代基的硅杂环己二烯。多种取代基的硅杂环己二烯：式(1)中，R1、R2相同或不同，代表烷基或芳基；R3代表氢、醛基、酮基、酯基、磷酸基；R4代表烷基、芳基；R5代表氢、烷基、烯基、芳基；R6代表烷基、芳基。上述的烷基优选C1-C6的直链或支链烷基，如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基等。