[发明专利]形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201410031958.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103943563B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | T·巴尔道夫;S·弗莱克豪斯基;T·赫尔曼;R·伊尔根 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法，该方法包括提供包含基板及在该基板上方的纳米线的半导体结构。该纳米线包含第一半导体材料并且朝该基板的垂直方向延伸。在该基板上方形成材料层。该材料层环状地包围该纳米线。对于该材料层选择性地移除该纳米线的第一部分。不移除该纳米线的第二部分。该纳米线的第二部分远离该基板的远端比该材料层的表面更靠近该基板，使得该半导体结构在该纳米线的位置处有凹部。该纳米线的远端在该凹部的底部暴露。以第二半导体材料填充该凹部。该第二半导体材料的掺杂与该第一半导体材料的掺杂不同。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包含 垂直 纳米 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包含：提供包含基板及在该基板上方的纳米线的半导体结构，该纳米线包含第一半导体材料并且朝该基板的垂直方向延伸；在该基板上方形成材料层，该材料层环状地包围该纳米线；对于该材料层选择性地移除该纳米线的第一部分，其中，不移除该纳米线的第二部分，该纳米线的该第二部分远离该基板的远端比该材料层的表面更靠近该基板，使得该半导体结构在该纳米线的位置具有凹部，该纳米线的该远端在该凹部的底部暴露；以及以第二半导体材料填充该凹部，该第二半导体材料的掺杂与该第一半导体材料的掺杂不同，其中，填充该凹部包含进行沉积工艺，该第二半导体材料在该沉积工艺期间被原位掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410031958.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有升降蜗轮系统的调平机装置
- 下一篇：一种水稻秧苗插秧架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
