[发明专利]基于三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性场电子发射阴极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410028270.3 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103762133A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 宋长青;郁可;尹海宏;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01J1/308 | 分类号： | H01J1/308;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明制备方法具有成本低，制备条件简单，重复性高，杂质少等优点。本发明柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优秀柔性场电子发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 vs sub zno 复合 纳米 结构 柔性 电子 发射 阴极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维VS2/ZnO复合纳米结构，其特征在于，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。
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