[发明专利]一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种锰氧化物外延薄膜，所述锰氧化物外延薄膜为层状结构，其包括单晶基底层、以及层叠生长在所述单晶基底层之上的锰氧化物外延薄膜层。本发明还公开了采用化学溶液法制备锰氧化物外延薄膜的方法。本发明锰氧化物外延薄膜可通过组分调节来实现铁磁/顺磁居里温度、电输运性能等物理性能的调节，具有铁磁性能、电输运及庞磁阻效应，可与半导体集成电路技术相兼容，在磁电阻传感器、磁存储材料等信息工业中具有广泛应用前景。本发明操作简单、成本低、重复性好，适合规模化生产。

主权项

一种锰氧化物外延薄膜，其特征在于，所述锰氧化物外延薄膜为层状结构，包括单晶基底层、以及层叠生长在所述单晶基底层之上的锰氧化物外延薄膜层；所述锰氧化物外延薄膜层与所述单晶基底层由于固有晶胞参数接近而使所述锰氧化物外延薄膜层在单晶上外延生长且有相同的晶向，并由于固有晶胞参数不同而产生相应的应力。