[发明专利]具有电绝缘壁的芯片堆叠及其形成方法有效
申请号: | 201410024948.0 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN103943515B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | E·G·科尔根;罗载雄 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 贺月娇,于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有电绝缘壁的芯片堆叠及其形成方法。提供了一种形成芯片堆叠的方法,该方法包括使焊料衬垫沿着衬底的主表面的平面排列,在所述焊料衬垫中的相邻焊料衬垫之间形成电绝缘材料壁。 | ||
搜索关键词: | 具有 绝缘 芯片 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成芯片堆叠的方法,包括:使焊料衬垫沿着衬底的主表面的平面排列,每个所述焊料衬垫具有从导体向外设置且位于绝缘体上方的外表面以及从所述外表面凹陷且与所述导体接触地设置的内表面;以及在所述焊料衬垫中的相邻焊料衬垫之间形成电绝缘材料壁,以使得所述壁从所述绝缘体的最上表面延伸且从所述焊料衬垫中的所述相邻焊料衬垫中的每一个位移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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