[发明专利]电子发射源有效
| 申请号： | 201410024418.6 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104795293B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/308 | 分类号： | H01J1/308 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子发射源，包括依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 | ||
【主权项】：
一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置，所述半导体层为一图案化的结构。
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